据报道，PQI主席Jance Lu近日表示，由于各制造商开始降低DDR2内存的产量，DDR2的价格预计将在二季度再次上涨，DDR3内存的价格近期则比较稳定。随着更多制造商在三月份开始从DDR2向DDR3转移，DDR2的价格也将开始上涨。虽然DDR3很快就会成为业界主流内存，但DDR2还是有一定的需求。

随着i5和i3新平台的推进，双通道DDR3内存的需求在逐渐增大，DDR3的前途一片光明，大有取代DDR2之势。另外DDR3带来的性能提升也逐渐被玩家所了解。今天小编就给大家介绍一款来自邦的一款千禧DDR3 2G-1333内存，这款内存采用六层PCB，原厂内存颗粒保证计算机稳定快速的工作，堪称i3/i5平台的绝配。

以当下主流的DDR3内存为例，普通的DDR3内存运行频率通常是1333MHz，而HyperX内存主推的则是DDR3 1600和DDR3 2000的产品，更快的运行速度对游戏大有好处，今天笔者为大家带来的是一款支持三通道的金士顿HyperX DDR3 6GB/1600，现该产品市场价为1780元，感兴趣的游戏玩家可以体验一下。

自2008年金士顿推出半高型内存以来，越来越多的厂商和消费者开始接受这种既降低成本，又环保的内存规格。日前，创见推出了两款面向服务器市场的RDIMM内存新品，其中就包括一款半高型DDR3-1333 RDIMM。

根据存储市场调研机构DRAMeXchange的统计，在2009年第四季度的DRAM内存市场上，三星电子虽然丢掉了不少份额，但依然占据老大地位。受惠于DRAM价格的上涨，上季度全球DRAM市场总收入86.82亿美元，同比大幅增长了42.0％。数据显示，DDR2颗粒的合同价格一季度内飙升了61％，现货价格也猛增了68％。

三星电子宣布，全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。

因为DDR3内存延迟较高，各大厂商都在不遗余力地提高频率，G.Skill日前就推出了高达2400MHz的新款套装，DDR3-2400的规格已经相当于PC3-19200，创下新纪录。这款双通道套装产品属于PIS系列，编号“F3-19200CL9D-4GBPIS”，容量2×2GB，延迟为9-11-9-28，运行电压1.65V，虽然高于规范标准，但正好不超过Intel Core i7-900系列处理器的限制。

据台湾媒体报道，上海芯片代工厂中芯国际自新任CEO王宁国掌权后，包括中芯本身、武汉厂新芯、成都厂成芯等可掌控产能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生产业务。由于中芯过去两年以SDRAM填补产能，成为国内消费性电子产品及家电市场SDRAM最大供应商，此次停产后导致市场供货短缺效应逐步发酵

去年年底，海盗船曾发布了一系列全部经过手工筛选的玩家超频内存Dominator GTX，可在1.65V的限制电压下，保证达到2250MHz频率，时序8-8-8-24。日前，他们又推出了该系列的新品CMGTX1，以2333MHz的高频率通过了Intel的“Extreme Memory Profile”认证测试，成为目前市场上最快的Intel XMP内存。

近日，宇瞻科技发布了全新的第二代猎豹超频产品，其产品特色主要以超频为主，在产品规格表和参数中我们可以看到，宇瞻第二代猎豹超频最高规格已经达到了DDR3 2200，可说是目前DDR3产品中，非常强悍的型号了。而宇瞻第二代猎豹超频产品相比一代产品又有哪些改进的地方？两款产品在性能上又有怎样的差别？下面就让广大网友跟笔者一同感受全新的宇瞻第二代猎豹超频超频内存的相关信息。

据内存业内人士透露，由于DDR3内存近期需求激增，而DDR2需求明显下降。韩国DRAM厂商为清理DDR2库存，已经开始实行捆绑策略，即购买DDR3必须同时搭配购买DDR2。多家分析机构之前都已经做出预期，DDR3替代DDR2成为市场主流的拐点已经尽在眼前。目前DDR3现货市场的供应已经非常紧张，而DDR2的库存量则在迅速攀升。

金邦的黑龙系列内存产品一直是超频玩家的最爱，也是高端内存当中不可忽视的一个产品系列，在DDR2时代，为金邦在超频玩家群众赢得了不小的声誉，在内存进入DDR3时代后，金邦也适时推出了黑龙系列的DDR3内存，这款采用4G双通道套装的黑龙4G DDR3-1333内存已经可以在三好街买到，商家给出的报价是730元，很符合这款产品的高端定位。

镁光(Micron) MT48LC8M8A2TG-7E:G 内存，类型：54-Pin SDRAM；容量：64Mb(8Mb×8)；速度：133MHz(PC133)；Depth(每个颗粒的容量)：8Mb；Width(内存上的颗粒总数)：x8；电压：3.3V；颗粒封装：TSOP；Cycle Time：7.5ns；Op. Temp.：0C to +70C;CL=2。